特許

J-GLOBAL ID：200903011104236542

シリコンナノワイヤーの製造方法

発明者： 鈴木 裕 ,  荒木 弘 ,  野田 哲二
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307618
公開番号（公開出願番号）：特開2006-117475
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】 300°C以下の温度で結晶性のシリコンナノワイヤーが生成するシリコンナノワイヤーの製造方法を提供すること。【解決手段】 シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させることを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 33/027

FI (1件)：

C01B33/027

Fターム (17件)：

4G072AA01 ,  4G072BB04 ,  4G072BB11 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072JJ01 ,  4G072KK11 ,  4G072MM01 ,  4G072NN03 ,  4G072NN09 ,  4G072RR01 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01