特許
J-GLOBAL ID：200903011146698708
結晶基板とそれを用いた半導体装置およびその製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029825
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233391
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【目的】窒化物III-V族化合物半導体材料の作製において、再現性良く平坦な界面を形成することができるSiC結晶基板、およびこれを用いることにより、高品質の窒化物III-V族化合物半導体よりなる薄膜積層構造を実現した高性能の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【構成】SiCよりなる結晶基板であって、SiC結晶の(0001)Si面正方位より、〔1-100〕方向、または〔11-20〕方向、もしくはこれらと等価な方向に、基板面内で7度以内の範囲、基板面に垂直な面内で0.02度ないし0.6度の範囲内で傾斜した面を有する基板を用いる。このSiC結晶基板上に、窒化物III-V族化合物半導体材料よりなる結晶薄膜を有機金属気相成長法により成長させる。
請求項（抜粋）：
SiCよりなる結晶基板であって、SiC結晶の(0001)Si面正方位より、〔1-100〕方向、または〔11-20〕方向、もしくはこれらと等価な方向に、基板面内で7度以内の範囲、基板面に垂直な面内で0.02度ないし0.6度の範囲内で傾斜した面を有することを特徴とする結晶基板。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, C30B 29/36
, C30B 29/38
, H01L 21/205
H01L 21/02 B
, C30B 29/36 A
, C30B 29/38 D
, H01L 21/205
