特許
J-GLOBAL ID：200903011190012007
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025277
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312370
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 拡散領域を高濃度と低濃度部分とが複合構成される多重コンタクトに拡散させた後、単一層で陽極を形成することによって、製造費用節減および容易な製作が実現できるだけでなく、システム効率を高めることができる、半導体装置を提供する。【構成】 順次形成され、それぞれ第1導電型からなる高濃度シリコン基板3および低濃度シリコン基板4と、低濃度シリコン基板4上部に第1導電型と反対導電型の不純物が拡散されてなる低濃度ウェル10と、同一導電型からなり、低濃度ウェル10と同一の位置で低濃度ウェル10上部に選択的に拡散し形成された高濃度ウェル6と、低濃度ウェル10および高濃度ウェル6上部に形成された陽電極1と、高濃度基板3下部に形成された陰電極2とからなる。
請求項（抜粋）：
順次形成され、それぞれ第1導電型からなる高濃度シリコン基板および低濃度シリコン基板と、前記低濃度シリコン基板上部に第1導電型と反対導電型の不純物が拡散されてなる低濃度ウェルと、前記低濃度ウェルと同一導電型からなり、前記低濃度ウェルと同一な位置で低濃度ウェル上部に選択的に拡散し形成された高濃度ウェルと、前記低濃度ウェルおよび高濃度ウェル上部に形成された陽電極と、前記高濃度基板下部に形成された陰電極とから構成されることを特徴とする、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/8222
, H01L 27/06
, H01L 29/861
H01L 29/72
, H01L 27/06 101 D
, H01L 29/91 C
