特許

J-GLOBAL ID：200903011195047801

半導体基板保持装置及びその製造方法

発明者： 塩田 武 ,  佐藤 孔俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281375
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135161
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】静電気によるごみの付着をより完全に防止でき、かつ緻密で強度特性に優れた微細加工可能な半導体装置保持装置を提供する。【構成】環状凸部により半導体基板を保持する半導体基板保持装置において、少なくとも上記半導体基板と接触する部分を、炭化物換算で30重量%以上50重量%以下のTiと、酸化物換算で0.1重量%以上3.0重量%以下のY,Yb,Ceのうちの少なくとも1種とを含有するアルミナ(Al2 O3 )焼結体で形成したことを特徴とする。上記構成により、環状凸部の上面幅が0.20mm以下と小さくても焼結体にカケ、脱粒の極めて少ない優れた微細加工を行なうことができる。

請求項（抜粋）：

環状凸部により半導体基板を保持する半導体基板保持装置において、少なくとも上記半導体基板と接触する部分を、炭化物換算で30重量%以上50重量%以下のTiと、酸化物換算で0.1重量%以上3.0重量%以下のY,Yb,Ceのうちの少なくとも1種とを含有するアルミナ(Al2 O3 )焼結体で形成したことを特徴とする半導体基板保持装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 保持装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-199801   出願人：株式会社ニコン