特許
J-GLOBAL ID：200903011248227726
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330274
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193313
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 素子抵抗を低減してジュール熱の発生を抑え、かつ、無秩序結晶の採用により発光効率を改善し、高出力動作におけるジュール発熱の発生を抑制する。【構成】 ストライプ状リッジを[1,1,0]方位に形成する。リッジ形状は上辺が下辺よりも長い台形である。さらに、活性層に無秩序AlGaInP5を用いる。
請求項（抜粋）：
第1伝導型のGaAs基板上に順次形成された第1伝導型のAlGaInPクラッド層と活性層と第2伝導型のAlGaInPクラッド層を少なくとも含む多層エピタキシャル層とストライプ状のリッジと一対のレーザ端面を備え、該活性層が無秩序状態のAlGaInPからなり、該ストライプ状リッジが[1,1,0]方位に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
前のページに戻る
