特許
J-GLOBAL ID：200903011248446207

半導体光触媒含有球状シリカゲル体および製造方法並びに塗料組成物

発明者：
森 広雄

森 広雄 について

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平野 八朗

平野 八朗 について

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井上 真樹

井上 真樹 について


出願人/特許権者：
旭硝子株式会社

旭硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283680
公開番号（公開出願番号）：特開2001-104799
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：
【要約】【課題】 光触媒活性が高く、透明性も良好でかつ、分散性が良好な半導体光触媒含有球状シリカゲル体を提供する。【解決手段】 光触媒の含有量:30〜60重量%、平均細孔直径:12nm以下、細孔直径20nm以下の細孔:全細孔容積の95%以上、分光透過率:波長320nmで15%以下、500nmで50%以上のシリカゲル体とする。
請求項（抜粋）：
シリカゲルをマトリックスとし、当該マトリックス中に半導体光触媒が分散した半導体光触媒含有球状シリカゲル体であって、(1) 当該シリカゲル体中の半導体光触媒の含有量が、SiO2 と半導体光触媒の合計量に対して20〜60重量%であり、(2)窒素吸着法で測定した平均細孔直径が、12nm以下、細孔直径20nm以下の細孔が、全細孔容積の95%以上であり、かつ、(3)当該シリカゲル体2.5gを、流動パラフィン3gおよび白色ワセリン7gと混合し、3本ロールを用いて分散させた後、石英板に挟んで厚みを20μmに調整したときの分光透過率が、波長320nmにおいて、15%以下、かつ500nmにおいて、50%以上であることを特徴とするシリカゲル体。
IPC (5件)：
B01J 35/02 ZAB ,  B01J 21/06 ,  B01J 23/04 ,  B01J 32/00 ,  C01B 33/152
FI (5件)：
B01J 35/02 ZAB J ,  B01J 21/06 A ,  B01J 23/04 A ,  B01J 32/00 ,  C01B 33/152 A
Fターム (25件)：
4G069AA08 ,  4G069BA02A ,  4G069BA02B ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA05B ,  4G069BA15B ,  4G069BA48A ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069EA04X ,  4G069EC11X ,  4G069EC11Y ,  4G069EC12X ,  4G069EC12Y ,  4G069EC13X ,  4G069EC13Y ,  4G069FB09 ,  4G072BB07 ,  4G072CC10 ,  4G072EE03 ,  4G072GG03 ,  4G072PP05 ,  4G072UU15 ,  4G072UU30
引用特許：
審査官引用 (3件)

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