特許
J-GLOBAL ID：200903011251890428
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-153043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347584
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】半導体発光素子の外部出力光の光軸方向の指向性を向上させる。【解決手段】p型層106の上にはSiO2から成る絶縁膜150が形成されており、その絶縁膜150の上及び絶縁膜150のぼぼ中央部に窓の開けられ露出したp型層106の上に、金属蒸着による金属膜である多重厚膜正電極120が形成さている。絶縁膜150の厚さは、発光波長の1/4に設定されている。絶縁膜150の厚さは、一般的には、この媒体内発光波長の1/4の奇数倍である。この時に干渉作用により光軸方向の放射光の指向性が向上する。
請求項（抜粋）：
基板側から光を出力する半導体発光素子において、発光層と、光反射性の金属膜と、前記発光層の非発光部と前記金属膜との間に存在する透光性の絶縁膜とを有し、前記金属膜は前記絶縁膜により前記発光層の発光部にのみ電流を供給するものであり、前記発光層と前記金属膜との間隔はその間隔の媒体内発光波長の1/4の奇数倍に設定されていることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (14件)：
5F041AA06
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA82
, 5F041CB04
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041FF14
