特許
J-GLOBAL ID：200903011256366786
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-135837
公開番号（公開出願番号）：特開2001-322893
出願日： 2000年05月09日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：
【要約】【課題】 エピ成長用基板の結晶熱履歴に影響されることなく安定したIG能力を発揮し、デバイスプロセスの初期段階から優れたIG能力を有するエピタキシャルウェーハを製造することができ、特に、N+基板の酸素析出が進行しにくいという問題点に起因するN/N+エピウェーハのIG不足を簡便に解消することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 エピタキシャル成長用のシリコン基板に対し、1200°C〜1350°Cの温度で1〜120秒のRTA(急速加熱・急速冷却熱処理)を行い、さらに900°C〜1050°Cの温度で2〜20時間の熱処理を行った後、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長用のシリコン基板に対し、1200°C〜1350°Cの温度で1〜120秒のRTA(急速加熱・急速冷却熱処理)を行い、さらに900°C〜1050°Cの温度で2〜20時間の熱処理を行った後、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
Fターム (6件)：
4G077AA02
, 4G077AB06
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077FE11
, 4G077FJ06
