特許
J-GLOBAL ID：200903011262301912
回路形成基板とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336351
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201917
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 回路形成基板の小型化を図りつつ、薄膜金属電極の剥離防止と接着樹脂の流入防止および接触低抗が大きくなることの防止をした信頼性の高い回路形成基板を提供することを目的とする。【構成】 電気絶縁性基板1と、CrやNi層を介して電気絶縁性基板1の上面に形成したCuからなる薄膜金属電極4と、この薄膜金属電極4の上面にバンプ6を介して電気的に接合する半導体IC5と、半導体IC5と電気絶縁性基板1とを接着する接着樹脂7とを備えており、さらに、電気絶縁性基板1の表面は微細な凹凸層の粗面2を有した構成である。
請求項（抜粋）：
電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の表面に設けた薄膜金属電極と、前記薄膜金属電極にバンプを介して電気的に接合した電子部品とを備え、前記薄膜金属電極の表面に凹凸層を形成した回路形成基板。
引用特許：
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