特許

J-GLOBAL ID：200903011265390312

複数品種の半導体ウェハの研磨方法および研磨システム

発明者： 玉置 研二 ,  森澤 利浩 ,  立川 幸作 ,  安部 壽彦
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-203427
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047747
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】多品種の半導体デバイスを生産するラインにおいて、スループットを低下させるテスト研磨を行わなくても、研磨対象ウェハの品種もしくは工程の切り変えに応じて研磨時間を精度良く設定できる研磨方法およびそのシステムを提供する。【解決手段】研磨対象ウェハの品種もしくは工程毎の固有研磨パラメータとして基準ウェハからの研磨シフト量を予め求めておき、装置の現在の研磨能力を基準ウェハを用いて適宜に計測し、基準ウェハ研磨能力と製品ウェハ固有研磨シフト量から製品ウェハの研磨時間を正確に算出して研磨を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

素子もしくは配線のパターン形成過程にある複数品種の半導体製品デバイス化ウェハを対象とする化学的機械的研磨(CMP)工程において、 基準とするウェハの研磨特性と上記半導体製品デバイス化ウェハの研磨特性との演算から、各々の半導体製品デバイス化ウェハ固有の研磨パラメータを求めるステップと、 上記基準ウェハを用いて研磨装置の研磨能力現状値を測定するステップと、 半導体製品デバイス化ウェハの品種の指定を受けて、該半導体製品デバイス化ウェハの必要研磨量と上記固有研磨パラメータと上記研磨能力現状値との演算から研磨時間を算出するステップと、 上記研磨時間だけ上記半導体製品デバイス化ウェハを研磨するステップと、 から成ることを特徴とする複数品種の半導体ウェハの研磨方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00

FI (4件)：

H01L21/304 622R ,  H01L21/304 621D ,  B24B1/00 A ,  B24B37/00 Z

Fターム (7件)：

3C049AA07 ,  3C049CA01 ,  3C049CB03 ,  3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 研磨装置および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258008   出願人：住友金属工業株式会社
• ウェーハの研磨時間制御方法及びこれを利用したウェーハの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-285741   出願人：三星電子株式会社