特許
J-GLOBAL ID：200903011267331801
発光ダイオードアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021276
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237015
出願日： 1993年02月09日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 ウェハ状態でも簡単に光量測定ができ、かつ発光領域に於て、加工による応力の少ない側面発光型の発光ダイオードアレイを提供するものである。【構成】 化合物半導体の基板と、基板の側面に露出しかつ基板の表面に整列して形成された複数の第1の発光領域と、第1の発光領域とオーミック接触されかつ基板の表面に形成された電極と、第1の発光領域と離れて基板の表面に形成された第2の発光領域とを設けるものである。
請求項（抜粋）：
化合物半導体の基板と、その基板の側面に露出しかつ基板の表面に整列して形成された複数の第1の発光領域と、その第1の発光領域とオーミック接触されかつ前記基板の表面に形成された電極と、前記第1の発光領域と離れて前記基板の表面に形成された第2の発光領域とを具備した事を特徴とする発光ダイオードアレイ。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
