特許
J-GLOBAL ID:200903011289002658

ESD保護機能を有するフォトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-228578
公開番号(公開出願番号):特開2002-055438
出願日: 2000年07月28日
公開日(公表日): 2002年02月20日
要約:
【要約】【課題】 フォトマスク上の回路パターンの薄い回路端が中和放電反応により損傷されることを回避するために、中和放電反応により放電ピークを通して空気中に静電荷を放電する放電保護機能をフォトマスクに提供する。【解決手段】 透明な基板と;該透明な基板の表面の所定の領域に配置されたパターン化されたシールド層と;透明基板の表面上に配置された静電荷(ESD)保護層とからなり、SD保護層はシールド層を囲み、ESD保護層は複数の放電ピークからなり、該放電ピークはフォトマスクから電荷を除去するために空気中に静電気を放電するために用いられる。
請求項(抜粋):
透明な基板と;該透明な基板の表面の所定の領域に配置されたパターン化されたシールド層と;透明基板の表面上に配置された静電荷(ESD)保護層とからなり、ESD保護層はシールド層を囲み、ESD保護層は複数の放電ピークからなり、該放電ピークはフォトマスクから電荷を除去するために空気中に静電気を放電するために用いられるESD保護機能を有するフォトマスク。
IPC (2件):
G03F 1/14 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 1/14 E ,  G03F 1/14 F ,  G03F 1/14 G ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (4件):
2H095BB02 ,  2H095BC14 ,  2H095BC17 ,  2H095BC20
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • フォトマスクおよびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-223941   出願人:三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社

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