特許

J-GLOBAL ID：200903011306290182

不揮発性SRAM

発明者： アナンド セシャドリ ,  テレンス ジー、ブレイク ,  ジャーロッド アール、エリアソン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  林 鉐三 ,  祖父江 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-363135
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146048
出願日： 2003年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。【解決手段】本発明の実施形態は、少なくとも1つの強誘電体コンデンサ20と21を含む4トランジスタ式SRAM10である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一緒にカップリングされた4つのトランジスタと; 前記トランジスタの内の少なくとも1つにカップリングされた少なくとも1つの強誘電体コンデンサと; を備えるスタティックランダムアクセスメモリセル。

IPC (5件)：

G11C11/41 ,  G11C11/22 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11

FI (5件)：

G11C11/40 Z ,  G11C11/22 501A ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 444Z ,  H01L27/10 441

Fターム (9件)：

5B015JJ43 ,  5B015KA02 ,  5B015KA10 ,  5B015KA13 ,  5F083BS01 ,  5F083BS13 ,  5F083BS37 ,  5F083BS38 ,  5F083FR01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 掘削機の方向制御方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-203705   出願人：株式会社イセキ開発工機
• 強誘電体容量を用いたシャドーRAMセル及び不揮発性メモリ装置並びにその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-099534   出願人：日本電気株式会社
• 強誘電体容量を用いたシャドーRAMセル及び不揮発性メモリ装置並びにその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-299742   出願人：日本電気株式会社