エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-199569
公開番号（公開出願番号）：特開2009-038124
出願日： 2007年07月31日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：

【課題】低抵抗率のイオン注入層と高抵抗率のエピタキシャル層と、これらの間の抵抗率が遷移する領域をシャープなものにするとともに、重金属不純物による汚染の問題が発生しないエピタキシャルウェーハを製造する方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、N型シリコン単結晶基板に炭素イオンのみを注入して炭素イオン注入層を形成し、その後、該炭素イオン注入層を形成した前記N型シリコン単結晶基板の表面に前記エピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層から前記炭素イオン注入層にかけて抵抗率が遷移する領域の厚さが、2μm以下となるようにすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、N型シリコン単結晶基板に炭素イオンのみを注入して炭素イオン注入層を形成し、その後、該炭素イオン注入層を形成した前記N型シリコン単結晶基板の表面に前記エピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層から前記炭素イオン注入層にかけて抵抗率が遷移する領域の厚さが、2μm以下となるようにすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 21/322 , H01L 27/148 , H01L 27/14 , C23C 16/24 , C23C 14/48

FI (8件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 602B , H01L21/322 G , H01L27/14 B , H01L27/14 Z , C23C16/24 , C23C14/48 A

Fターム (32件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA34 , 4K029BC05 , 4K029BD01 , 4K029CA10 , 4K029GA01 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030LA15 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118EA01 , 4M118FA06 , 4M118FA33 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AF03 , 5F152LL02 , 5F152MM07 , 5F152MM11 , 5F152NN03 , 5F152NQ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

エピタキシャルウェハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-355507 出願人：ソニー株式会社

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