特許
J-GLOBAL ID：200903011338440984
半導体超微粒子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-261267
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 超微粒子の粒径分布のバラツキを小さくし、単位超微粒子濃度当りの光学非線形性を増加することのできる半導体超微粒子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 蒸発室1にはArガスを導入し、圧力を1Torr程度に制御した。捕集室3の圧力を10-5Torrとして、ターゲットにレーザーを照射しCdS0.6Se0.4を蒸発させた。捕集板6上で超微粒子を捕集し、平均粒径が約4nmの超微粒子が得られた。この結果を基に、上記の条件と同一な条件で超微粒子を作製しながら、反応室2にターゲット蒸発に用いたのと同様にレーザーを照射した。この結果、捕集板上で粒径分布のバラツキの小さいCdS0.6Se0.4超微粒子が捕集された。
請求項（抜粋）：
数10nm以下の様々な粒径を持つ半導体超微粒子の分散状態において、粒径によりその光学吸収端が違うことを利用して、ある特定の波長の光を吸収する微粒子のみを光照射によって再蒸発させることにより、粒径分布のバラツキを小さくすることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。
IPC (3件)：
B01J 2/00
, C01G 11/02
, H01S 3/108
