パーティクル制御方法及びプラズマ処理チャンバー

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚康徳 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-516558
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501379
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】基板ホルダーと、ライナー、フォーカス・リング又はガス分配プレートのような窒化シリコンの部材とを備えるプラズマ処理チャンバーであって、この部材は、基板ホルダーの近くに露出面を有し、この露出面は、基板の処理の際のパーティクル汚染を最少にするために効果的である。このチャンバーは、ガス分配プレートを通してRFエネルギーに誘導的に結合してプラズマ・ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にする。

請求項（抜粋）：

基板を処理すると共に該基板のパーティクル汚染を低減する方法であって、 (a)窒化シリコンをベースとする材料を含んで構成され、基板の近くに露出した面を有する部材を含む処理チャンバー内の基板ホルダー上に基板を載置する工程と、 (b)処理チャンバーに処理ガスを供給し、該処理チャンバー内で処理ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にすることによって前記基板を処理する工程と、 (c)前記処理チャンバーから前記基板を取り出す工程と、 (d)前記窒化シリコン部材の上に無欠のパッシベイティング層を形成すること、及び/又は、前記窒化シリコン部材のプラズマによって攻撃される部分からパーティクルを発生させずに該部分を揮発させることによって、処理の際の基板のパーティクル汚染を最少にしながら、前記処理チャンバーの中で(a)〜(c)工程を繰り返すことによって連続的に他の基板を処理する工程とを含むことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/505 , H01J 37/32 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B , C23C 16/505 , H01J 37/32 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-027498 出願人：ソニー株式会社
プラズマ処理装置の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-284211 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平2-229431

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