特許

J-GLOBAL ID：200903011360857961

放熱機構

発明者： 間田 洋一 ,  小野寺 清光 ,  青山 眞二 ,  徳光 雅美
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-044783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246517
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】低い熱抵抗で、等方的緩衝性を実現できる放熱機構を提供する。【解決手段】半導体素子1で発生する熱の放熱機構において、半導体素子1に接触する熱流入層5と、熱流入層5に重ねて配置した熱放出層6と、熱流入層5および熱放出層6との間に配置した弾性体からなる緩衝層7とを備え、熱流入層5、熱放出層6、緩衝層7の各面積は同じで、半導体素子1の面積より大きい。

請求項（抜粋）：

半導体素子で発生する熱の放熱機構において、前記半導体素子に接触する熱流入層と、該熱流入層に重ねて配置した熱放出層と、前記熱流入層および前記熱放出層の間に配置した弾性を有する緩衝層とを備え、前記熱流入層、前記熱放出層、前記緩衝層の各面積は同程度で、前記半導体素子の面積より大きいことを特徴とする放熱機構。

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC05 ,  5F036BD22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその実装方法並びに実装構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-124156   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-369856