特許
J-GLOBAL ID:200903093080905592

半導体装置及びその実装方法並びに実装構造体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-124156
公開番号(公開出願番号):特開平9-306954
出願日: 1996年05月20日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップ3から発生した熱を外気に放出する放熱効率が低下する。【解決手段】 配線基板2の一表面上にバンプ電極4を介在して半導体チップ3が実装され、前記配線基板2の一表面と前記半導体チップ3の主面との間の間隙領域に樹脂5が充填されたパッケージ構造を有する半導体装置において、前記半導体チップ3の主面と対向するその裏面上に、前記半導体チップ3の平面サイズに比べて大きい平面サイズで形成され、かつ窒化アルミニウム材で形成された平板部材7を配置し、前記半導体チップ3の裏面にこの半導体チップの裏面と対向する前記平板部材7の一表面の固着領域をろう材6を介在して固着する。
請求項(抜粋):
配線基板の一表面上にバンプ電極を介在して半導体チップが実装され、前記配線基板の一表面と前記半導体チップの主面との間の間隙領域に樹脂が充填されたパッケージ構造を有する半導体装置において、前記半導体チップの主面と対向するその裏面上に、前記半導体チップの平面サイズに比べて大きい平面サイズで形成され、かつ窒化アルミニウム材で形成された平板部材が配置され、前記半導体チップの裏面にこの半導体チップの裏面と対向する前記平板部材の一表面の固着領域がろう材を介在して固着されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/36
FI (3件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/36 Z
引用特許:
審査官引用 (11件)
  • 特開平1-096952
  • 特開昭63-310139
  • 半導体集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-255076   出願人:株式会社日立製作所
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