特許
J-GLOBAL ID:200903011383856644

LEDバックライト装置及び液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 青木 俊明 ,  清水 守 ,  川合 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-331693
公開番号(公開出願番号):特開2009-158125
出願日: 2007年12月25日
公開日(公表日): 2009年07月16日
要約:
【課題】熱伝導性が良好な基板に薄膜状のLEDを固着することによって、前記基板の背面から放熱することができ、極めて薄く、かつ、放熱性が良好になるようにする。【解決手段】熱伝導性の第1の基板と、エピタキシャル成長法によって無機材料がpn接合デバイスとして積層形成され、前記第1の基板の第1の面に固着されたLED積層薄膜と、該LED積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、前記LED積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバIC及びカソードドライバICと、前記第1の基板の第1の面に形成され、前記アノードドライバICとLED積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバICとLED積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、入射光を均一に拡散する機能を備える透光性の第2の基板とを有し、該第2の基板と前記第1の基板の第1の面とが対向配置される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
(a)熱伝導性の第1の基板と、 (b)エピタキシャル成長法によって無機材料がpn接合デバイスとして積層形成され、前記第1の基板の第1の面に固着されたLED積層薄膜と、 (c)該LED積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、 (d)前記LED積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバIC及びカソードドライバICと、 (e)前記第1の基板の第1の面に形成され、前記アノードドライバICとLED積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバICとLED積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、 (f)入射光を均一に拡散する機能を備える透光性の第2の基板とを有し、 (g)該第2の基板と前記第1の基板の第1の面とが対向配置されることを特徴とするLEDバックライト装置。
IPC (6件):
F21S 2/00 ,  F21V 19/00 ,  F21V 7/00 ,  F21V 29/00 ,  H01L 33/00 ,  G02F 1/133
FI (7件):
F21S1/00 E ,  F21V19/00 170 ,  F21V7/00 510 ,  F21V29/00 111 ,  H01L33/00 H ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1333
Fターム (40件):
2H089HA40 ,  2H089JA09 ,  2H089JA10 ,  2H089QA06 ,  2H089QA11 ,  2H089QA16 ,  2H089TA18 ,  2H091FA45Z ,  2H091FB06 ,  2H091FC01 ,  2H091FD03 ,  2H091FD14 ,  2H091GA01 ,  2H091GA17 ,  2H091LA04 ,  2H091LA11 ,  2H191FA85Z ,  2H191FB12 ,  2H191FC01 ,  2H191FD03 ,  2H191FD34 ,  2H191GA01 ,  2H191GA23 ,  2H191LA04 ,  2H191LA11 ,  3K013AA00 ,  3K013AA07 ,  3K013BA01 ,  3K013CA05 ,  3K013CA16 ,  3K013EA00 ,  3K014AA01 ,  3K014LA01 ,  3K014LB04 ,  5F041AA33 ,  5F041DC07 ,  5F041DC10 ,  5F041DC26 ,  5F041DC66 ,  5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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