特許

J-GLOBAL ID：200903011385369112

酸化亜鉛薄膜およびその製造方法

発明者： 中村 高遠 ,  高橋 直行
出願人/特許権者： 東洋インキ製造株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087671
公開番号（公開出願番号）：特開2001-270799
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】【課題】 簡便な方法により得られる、室温において励起子発光を示す酸化亜鉛エピタキシャル薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の酸化亜鉛エピタキシャル薄膜の製造方法は、大気圧下において、亜鉛源としてヨウ化亜鉛を気化し基材上に導入する工程と、導入されたヨウ化亜鉛を酸素と反応させて基板上に酸化亜鉛を堆積させる工程とを含むことを特徴とする。得られた酸化亜鉛エピタキシャル薄膜は、25°Cにおいて15mWのHe-Cdレーザー(325nm)で励起したとき、紫外部(381nm)に励起子発光を示すものである。

請求項（抜粋）：

亜鉛源としてヨウ化亜鉛を用いて大気圧下で基板上にエピタキシャル成長させてなる酸化亜鉛エピタキシャル薄膜。

IPC (6件)：

C30B 29/16 ,  C01G 9/02 ,  C23C 16/40 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/04 ,  H01S 5/327

FI (6件)：

C30B 29/16 ,  C01G 9/02 A ,  C23C 16/40 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/04 ,  H01S 5/327

Fターム (18件)：

4G047AA02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DB05 ,  4K030AA02 ,  4K030BA47 ,  4K030LA11 ,  4K030LA18 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA64 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA04