特許

J-GLOBAL ID：200903011416119705

受光素子、光ピツクアツプ及び半導体装置製造方法

発明者： 荒井 千広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342453
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219534
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】受光素子の受光感度が低く、周波数特性が劣化するおそれがあつた。このためバイポーラプロセスとの整合性が十分でなかつた。【解決手段】受光素子のSi内部構造を受光面より、N+ 型拡散層、N- 型エピタキシヤル層、P- 型エピタキシヤル層、P+ 型埋込み層、P型Si基板によつて構成したことにより低濃度PN接合を形成し、その結果受光素子に逆バイアスが印加された際に生じる空乏層幅を拡げ、受光感度及び周波数特性を向上させた。さらにP- 型エピタキシヤル層によつてバイポーラ素子を分離したことにより、P- 型エピタキシヤル成長時の濃度コントロール性を向上させた。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層と、第2導電型の半導体層との電気的な接触により形成される受光素子において、逆電圧を印加する際に空乏化される部分における上記第1及び第2導電型の不純物濃度が共に1E16〔cm-3〕以下であることを特徴とする受光素子。

IPC (6件)：

H01L 31/10 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/13 ,  H01L 27/14 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (5件)：

H01L 31/10 A ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/13 ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-205564
  
• 光学ピックアップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347360   出願人：ソニー株式会社