高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169533
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010123
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：

【要約】【構成】 MSi2(MはMo,W,Ta,Zr,Ti,Nb,Crの内から選択される1種類)で表される高融点金属シリサイド粒と、遊離Si粒との焼結体からなり、MSi2粒の平均粒径が0.5〜10μmであり、遊離Si粒の平均粒径が0.1〜20μmであり、この遊離Si粒中にn型不純物或いはp型不純物が添加されてい高融点金属シリサイドターゲットである。【効果】高融点金属シリサイドターゲット中の遊離Si粒中にn型不純物或いはp型不純物を所定の濃度含有させることができる。またターゲット組織中の高融点金属シリサイド粒とが均一に分散した組織を有していることから、パーティクルの発生を減少させることができるので、半導体製品等での製品歩留りを飛躍的に向上させることができる。

請求項（抜粋）：

一般式MSi2(ただし、MはMo,W,Ta,Zr,Ti,Nb,Crの内から選択される1種類)で表される高融点金属シリサイド粒と、遊離Si粒との焼結体からなる高融点金属シリサイドターゲットにおいて、上記高融点金属シリサイド粒の平均粒径が0.5〜10μmであり、かつ上記遊離Si粒の平均粒径が0.1〜20μmであり、該Si粒中にn型不純物或いはp型不純物が添加されていることを特徴とする高融点金属シリサイドターゲット。

IPC (7件)：

C23C 14/34 , B22F 3/14 , C01B 33/00 , C22C 1/05 , C22C 29/18 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭61-141674
特開昭62-021765
特開平4-150021

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