特許

J-GLOBAL ID：200903011476071310

バンプの形成方法

発明者： 酒見 省二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-097238
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307341
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 基板やチップなどの電極の表面にバンプを低コストで作業性よく形成できるバンプの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 金型11に形成された凹入部にバンプ14’の材料であるクリーム半田14を充填する工程と、基板1の表面に形成された電極2をクリーム半田14に位置合わせして、基板1を金型11にセットする工程と、金型11を加熱することにより、クリーム半田14を溶融させて電極2の表面にバンプ14’を形成する工程とからバンプの形成方法を構成した。【効果】 従来、バンプの素材として必要であった半田ボールを不要にでき、低コストでバンプが形成できる。

請求項（抜粋）：

金型に形成された凹入部にバンプの材料である金属物質を充填する工程と、ワークの表面に形成された電極を前記金属物質に位置合わせして、ワークを前記金型にセットする工程と、前記金型を加熱することにより、前記金属物質を溶融させて、その表面張力により略球形のバンプを前記電極の表面に形成する工程と、を含むことを特徴とするバンプの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-083344
  
• 半田バンプ電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-044554   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-264731