特許

J-GLOBAL ID：200903011493790240

表面型の加速度センサ及びその製造方法

発明者： 岩田 仁 ,  村手 真
出願人/特許権者： 株式会社東海理化電機製作所
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243127
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111533
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 小型化、高感度化及び実装容易化を達成することができる表面型の加速度センサを提供する。【構成】 本発明の表面型の加速度センサ1は、p型単結晶シリコン基板2と、カンチレバー構造部としての片持ち梁5と、複数の歪みゲージ7とを備える。片持ち梁5は、p型単結晶シリコン基板2の表面側に形成された凹部3内において、上下方向に変位可能に配置されている。片持ち梁5は、主としてn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層6からなる。歪みゲージ7はp型シリコンからなり、片持ち梁5の基端部上面に形成されている。

請求項（抜粋）：

表面側に凹部(3)が形成されたp型単結晶シリコン基板(2)と、主としてn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層(6,35,37)からなり、前記凹部(3)内において変位可能に配置されたカンチレバー構造部と、p型シリコンからなり、前記カンチレバー構造部の上面に形成された歪みゲージ(7)とを備えた表面型の加速度センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-255369
  
• Si基体及びその加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-276376   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭64-050532
  
• 特開昭56-087372