特許
J-GLOBAL ID：200903011497588542
温度センサを有する電力用半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021165
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221261
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体内の温度が臨界値に達するときに電力用半導体デバイスを可制御スイッチの投入により導通状態からより高抵抗の範囲に制御する温度センサを有する電力用半導体デバイスを、ケースが過負荷または短絡の場合に臨界温度よりもかなり低い温度に保たれるように改良する。【構成】 温度センサ8の応答の際に駆動される遅延要素9を含んでおり、その遅延時間が温度センサ8が再びリセットされる時間よりも大きく、また遅延要素9が可制御スイッチ5の遮断を遅延時間の間は阻止する。
請求項（抜粋）：
半導体内の温度が臨界値に達するときに電力用半導体デバイスを可制御スイッチの投入により導通状態からより高抵抗の範囲に制御する温度センサを有する電力用半導体デバイスにおいて、温度センサ(8)の応答の際に駆動される遅延要素(9)を含んでおり、その遅延時間が温度センサ(8)が再びリセットされる時間よりも大きく、また遅延要素(9)が可制御スイッチ(5)の遮断を遅延時間の間は阻止することを特徴とする温度センサを有する電力用半導体デバイス。
引用特許：
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