特許
J-GLOBAL ID:200903011499314989

単結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 求馬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-267722
公開番号(公開出願番号):特開平9-087086
出願日: 1995年09月21日
公開日(公表日): 1997年03月31日
要約:
【要約】【課題】 高品質な単結晶を効率よく製造することのできる方法を提供する。【解決手段】 製造しようとする単結晶の原料のガスを種結晶に供給し、種結晶1上に単結晶2を成長させる方法において、種結晶1として、結晶のc軸と単結晶成長面11となる露出端面の法線ベクトル3とのなす角度θが20°≦θ≦55°の範囲にある結晶を用いることで、欠陥が少ない高品質な結晶を大きな体積で得ることができる。
請求項(抜粋):
製造しようとする単結晶の原料のガスを種結晶に供給し、種結晶上に単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、上記種結晶として、結晶のc軸と単結晶成長面となる露出端面の法線ベクトルとのなす角度θが、20°≦θ≦55°の範囲にある結晶を用いることを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2件):
C30B 23/00 ,  H01L 21/20
FI (2件):
C30B 23/00 ,  H01L 21/20
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • SiC単結晶の成長方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-056036   出願人:新日本製鐵株式会社

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