特許
J-GLOBAL ID:200903011504930634
高周波プラズマ発生装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
村田 紀子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-215146
公開番号(公開出願番号):特開平8-222399
出願日: 1995年07月31日
公開日(公表日): 1996年08月30日
要約:
【要約】【課題】 大面積の基板処理が可能な高周波プラズマ発生装置を構成する。【解決手段】 ウエハ支持台3を包囲したプラズマ反応室1の上端壁4において下向きに開口し、前記ウエハ支持台3の台面の実質上全範囲に対応するように配列された複数のプラズマ生成室5、及び前記複数のプラズマ生成室にそれぞれ反応ガスを供給するための複数の制御弁付ガス導入パイプ6を備えたものである。
請求項(抜粋):
ウエハ支持台を包囲したプラズマ反応室の上端壁において下向きに開口し前記ウエハ支持台の台面の実質上全範囲に対応するように配列された複数のプラズマ生成室を設け、これら複数のプラズマ生成室にそれぞれ反応ガスを供給するための複数の制御弁付ガス導入口を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
IPC (7件):
H05H 1/46
, C03C 15/00
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, C30B 33/12
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (7件):
H05H 1/46 A
, C03C 15/00 A
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, C30B 33/12
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平2-177326
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プラズマ処理方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-091812
出願人:日電アネルバ株式会社
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特開昭63-260030
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半導体加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-186837
出願人:菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
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