特許

J-GLOBAL ID：200903011515724513

単結晶を製造するための装置と方法

発明者： ペーター・フィルツマン ,  ヘルムート・ピンツホファー
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-335638
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225397
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶を製造するための装置および方法を提供する。【解決手段】 成長する単結晶を遮蔽し、かつ容器チャンバを融液上で内側部分と外側部分とに分割する円筒状ないし円錐状の本体を含み、前記本体が少なくとも1つのオリフィスを有し、前記オリフィスを通して容器チャンバ内側部分に案内される不活性ガスが容器チャンバの外側部分の方に直接通過することができるシリコン単結晶の製造装置に関する。さらに、本発明は、不活性ガス流の一部が容器チャンバの内側部分から外側部分へ円筒状ないし円錐状の本体内の少なくとも1つのオリフィスを通して案内される、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するための方法。

請求項（抜粋）：

本質的に不活性ガスで洗浄することができる容器と、その中で融液を保持するために備えられたルツボと、前記融液から単結晶を引上げるための装置と、成長する単結晶を遮蔽し、かつ容器チャンバを前記融液上で内側部分と外側部分とに分割する円筒状ないし円錘状の本体とを含み、不活性ガスが融液の方向に容器チャンバの内側部分へ案内され、該不活性ガスが本体の下端と融液表面との間で容器チャンバの外側部分へ通過し、前記本体が少なくとも1つのオリフィスを有し、前記オリフィスを通して不活性ガスが容器チャンバの内側部分から直接その外側部分へ通過することができる、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するための装置。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 27/02

FI (3件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 27/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶の引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-012668   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社