特許

J-GLOBAL ID：200903011540860170

電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器

発明者： 片山 茂憲
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-261572
公開番号（公開出願番号）：特開2003-066427
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 液晶装置等の電気光学装置を構成する電気光学装置用基板であって、素子特性及び耐光性に優れたSOI構造の半導体素子を備えた電気光学装置用基板を製造し、歩留まりも向上させる。【解決手段】 基板(10)上に所定パターンを有する遮光膜(11a)を形成し、この上に第1下地絶縁膜(12a)を形成し、この上に第2下地絶縁膜(12b)を形成し、この表面を研磨して平坦化する。その後、単結晶半導体層(1a)上に形成された貼り合わせ用絶縁膜(13)の表面を、平坦化された第2下地絶縁膜の表面に貼り合わせる。そして、この単結晶半導体層を用いて半導体素子(30)を形成する。

請求項（抜粋）：

SOI(Silicon On Insulator)構造を有する半導体素子を備えてなる電気光学装置用基板を製造する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記基板上に所定パターンを有する遮光膜を形成する工程と、該遮光膜上に第1下地絶縁膜を形成する工程と、該第1下地絶縁膜上に第2下地絶縁膜を形成する工程と、該第2下地絶縁膜の表面を研磨して平坦化する工程と、単結晶半導体層上に形成された貼り合わせ用絶縁膜の表面を前記平坦化された第2下地絶縁膜の表面に貼り合わせる工程と、前記単結晶半導体層を用いて前記半導体素子を形成する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。

IPC (6件)：

G02F 1/1333 505 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

G02F 1/1333 505 ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (83件)：

2H042AA15 ,  2H042AA26 ,  2H090HA01 ,  2H090HB03X ,  2H090HC03 ,  2H090HD03 ,  2H090HD07 ,  2H090JB02 ,  2H090JB04 ,  2H090JD01 ,  2H090KA03 ,  2H090LA05 ,  2H091FA34Y ,  2H091FB08 ,  2H091FB13 ,  2H091FC01 ,  2H091FC26 ,  2H091FD06 ,  2H091FD11 ,  2H091GA07 ,  2H091HA05 ,  2H091LA03 ,  2H091MA07 ,  2H092GA29 ,  2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092KA03 ,  2H092KA10 ,  2H092KB05 ,  2H092MA31 ,  2H092NA01 ,  2H092NA17 ,  2H092NA19 ,  2H092PA09 ,  2H092QA05 ,  2H092RA05 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE09 ,  5F110EE28 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG52 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL08 ,  5F110HL24 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 画像表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-327570   出願人：キヤノン株式会社
• 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207079   出願人：セイコーエプソン株式会社