特許

J-GLOBAL ID：200903011562514160

導電回路装置および導電回路装置の製造方法

発明者： 小口 壽彦 ,  菅波 敬喜
出願人/特許権者： 森村ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-006653
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203484
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】ファインパターンの形成が可能で、生産工程を簡素化することができ、環境負荷を軽減した信頼性の高い導電回路パターンを、高速かつ連続して製造できる導電回路装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】平均粒径1nm以上200 nm 以下の金属粒子を含む分散液を、金属粒子の平均粒系より大きな細孔を有する絶縁性基体表面に、塗布・乾燥して形成した導電回路パターンに、金属めっき層を形成する。細孔の孔径 は、10nm〜10μmで、 垂直方向の孔の深さは1μm 〜 30μmであり、金属粒子は絶縁性基体の細孔内部から細孔表面にわたって被覆され、絶縁性基体表面では粒子同士の細孔間に被覆膜の連続層が形成される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

平均粒径1nm以上200 nm 以下の金属粒子を含む分散液を、前記金属粒子の平均粒系より大きな細孔を有する絶縁性基体表面に塗布・乾燥せしめて形成した導電回路パターンに、金属めっき層を形成して成ることを特徴とする導電回路装置。

IPC (1件)：

H05K3/18

FI (1件)：

H05K3/18 B

Fターム (19件)：

5E343AA17 ,  5E343AA23 ,  5E343AA26 ,  5E343AA35 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB38 ,  5E343BB44 ,  5E343BB49 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343ER01 ,  5E343ER21 ,  5E343ER32 ,  5E343ER47 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-053284   出願人：京セラ株式会社
• 窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-354509   出願人：愛知製鋼株式会社
• 導電膜パターンとその形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-238390   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 多層配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-293618   出願人：株式会社東芝