特許
J-GLOBAL ID:200903045969449128
導電膜パターンとその形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
渡邊 隆
, 志賀 正武
, 実広 信哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-238390
公開番号(公開出願番号):特開2004-006578
出願日: 2002年08月19日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】導電膜パターンの形成方法を改善し、より効率よく厚膜化を達成し得る、導電膜パターンとその形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体を提供する。【解決手段】基板1の上方に微小空隙型の受容層2を形成する工程と、導電性微粒子3及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体(液滴)22を、受容層2上、又は受容層2上と受容層2中とに設ける工程と、熱処理により、導電性微粒子3及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は導電性微粒子3と有機金属化合物とを接触させて、導電性パターン4を形成する工程と、を備えた導電膜パターンの形成方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板の上方に微小空隙型の受容層が設けられ、前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが結合してなることを特徴とする導電膜パターン。
IPC (6件):
H05K3/10
, H01B5/14
, H01B13/00
, H01L21/288
, H05K3/38
, H05K3/46
FI (8件):
H05K3/10 D
, H01B5/14 B
, H01B13/00 503D
, H01L21/288 Z
, H05K3/38 A
, H05K3/46 N
, H05K3/46 S
, H05K3/46 T
Fターム (38件):
4M104BB09
, 4M104DD51
, 5E343AA02
, 5E343AA18
, 5E343AA37
, 5E343AA39
, 5E343BB14
, 5E343BB15
, 5E343BB21
, 5E343BB71
, 5E343BB78
, 5E343DD16
, 5E343ER33
, 5E343ER47
, 5E343GG02
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA32
, 5E346AA38
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346BB15
, 5E346CC10
, 5E346CC16
, 5E346CC31
, 5E346DD01
, 5E346DD33
, 5E346EE32
, 5E346EE36
, 5E346EE38
, 5E346FF18
, 5E346GG01
, 5E346GG19
, 5E346GG28
, 5E346HH01
, 5E346HH11
, 5G323CA03
, 5G323CA05
引用特許: