特許

J-GLOBAL ID：200903011572768128

半導体回路装置

発明者： 市川 勉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-180115
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036245
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 電源系統に対応した複数の保護回路を設けて、静電気放電などによって発生した過電圧による半導体素子の破壊を防ぐことができる半導体回路装置を提供する。【構成】 電源系統5,6に対応した保護回路1をMOS- FETQ1 ,Q2 で構成し、電源系統7,8に対応した保護回路10をMOS- FETQ11,Q12で構成した。これにより、パッケージに静電気が帯電して、その電荷が模擬的にパッケージ容量Cpo,Cnoに蓄積されると、その電荷が、保護回路1のMOS- FETQ1 ,Q2 によって、外部接続端子9に放電される。また、静電気による電荷が模擬的にパッケージ容量Cpi,Cniに蓄積されると、その電荷が、保護回路10のMOS- FETQ11,Q12によって、外部接続端子9に放電される。

請求項（抜粋）：

分離された複数の電源系統と、上記複数の電源系統と外部接続端子との間に設けられ、各電源系統で生じた過電圧による電荷を上記外部接続端子に各々放電可能な複数の保護回路と、を具備することを特徴とした半導体回路装置。

IPC (9件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02H 3/22 ,  H02H 7/20 ,  H03K 19/00 ,  H03K 19/003 ,  H05F 3/02

FI (7件)：

H01L 27/08 321 H ,  H02H 3/22 ,  H02H 7/20 F ,  H03K 19/00 A ,  H03K 19/003 B ,  H05F 3/02 L ,  H01L 27/04 H

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-257256
  
• 集積半導体回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-108687   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

審査官引用 (2件)

• 特開平4-257256
  
• 集積半導体回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-108687   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト