半導体装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-302886
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144838
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】本発明は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極を、ドレインに接続される高電圧が印加される配線からの電界シールドとして利用する。【構成】MOSトランジスタ19内にLDD構造を有するドレイン領域16が備えられている。このドレイン領域16に接続される配線24がフィールド絶縁膜21上を跨ぐ箇所29においてフィールド絶縁膜20表面上にMOSトランジスタ19のゲート電極14が延在している。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ内に備えられたLDD構造を有するドレイン領域と、前記ドレインにフィールド絶縁膜を隔てて形成される半導体領域と、前記ドレインに電気的に接続され、前記フィールド絶縁膜上を跨ぐ配線と、前記配線と前記配線下のフィールド絶縁膜との間に延在した前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-162759
特開昭62-229880
特開昭62-140454

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