特許

J-GLOBAL ID：200903011599866717

半導体装置

発明者： 末代 知子 ,  中川 明夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395241
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305305
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 従来のIGBTは、高速なスイッチング速度が可能で、ノイズを低減することが困難であった。【解決手段】 本発明のIGBT10は、n+バッファ層13を有するパンチスルー構造とされ、n+型のバッファ層13とp+型のドレイン層11の相互間にp-型の低濃度層12を有している。この低濃度層12により、ターンオフ時にドレイン電流が急速に減少せずゆっくり切れる。したがって、ドレイン電圧の振動を防止でき、ノイズを低減できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のドレイン層と、前記ドレイン層の上方に形成された第2導電型のバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された第2導電型の高抵抗層と、前記高抵抗層の上に形成された第1導電型のベース層と、前記ベース層の表面領域に形成された高不純物濃度の第2導電型のソース層と、前記ベース層に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ドレイン層とバッファ層の間に形成され、前記ドレイン層及びバッファ層より不純物濃度が低い低濃度層とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-045173
  
• 伝導度変調型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-238931   出願人：株式会社東芝