特許
J-GLOBAL ID:200903011610685479
粒子分散層を含む積層体およびその製造方法、並びに光変調素子
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
中村 智廣
, 成瀬 勝夫
, 小泉 雅裕
, 青谷 一雄
, 鳥野 正司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-321058
公開番号(公開出願番号):特開2008-134480
出願日: 2006年11月29日
公開日(公表日): 2008年06月12日
要約:
【課題】粒子が分散配置された粒子分散層の表面の平坦性を高めた積層体、およびその製造方法、並びに光変調素子を提供すること。【解決手段】昇温に伴いゲル状態からゾル状態へと変化する第1の材料4に粒子2が分散配置されてなる粒子分散層8と、昇温に伴いゲル状態からゾル状態に、降温に伴いゾル状態からゲル状態に変化し、かつ、温度変化に対するゾル-ゲル変化挙動にヒステリシス性を示す第2の材料を含む被覆層6とを備え、ゾル状態の粒子分散層8とゲル状態の被覆層6とが互いに接して積層されてなり、溶媒を含む状態で、前記第1の材料がゲル状態を維持する最高温度が、前記第2の材料が昇温時にゲル状態を維持する最高温度未満の温度である積層体、およびその製造方法、並びに前記積層体を層構成に含む光変調素子。【選択図】図1
請求項(抜粋):
昇温に伴いゲル状態からゾル状態へと変化する第1の材料に粒子が分散配置されてなる粒子分散層と、
昇温に伴いゲル状態からゾル状態に、降温に伴いゾル状態からゲル状態に変化し、かつ、温度変化に対するゾル-ゲル変化挙動にヒステリシス性を示す第2の材料を含む被覆層と、
を備え、ゾル状態の前記粒子分散層とゲル状態の前記被覆層とが互いに接して積層されてなり、
溶媒を含む状態で、前記第1の材料がゲル状態を維持する最高温度T1が、前記第2の材料が昇温時にゲル状態を維持する最高温度T2未満の温度(T1<T2)であることを特徴とする積層体。
IPC (2件):
FI (2件):
G02F1/1334
, G02F1/19 501
Fターム (10件):
2H089HA06
, 2H089KA06
, 2H089KA09
, 2H089QA16
, 2H089SA17
, 2H189AA05
, 2H189CA06
, 2H189CA09
, 2H189HA16
, 2H189KA18
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
特公平7-009512号公報
-
液晶表示装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-338162
出願人:株式会社東芝
-
特許第3178530号明細書
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る