特許
J-GLOBAL ID：200903011623444080
半導体放射線検出器の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335927
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】アノード電極での正孔に対する電気的障壁を高めることによる低い暗電流が安定に得られる電極形成方法を提供する。【構成】II-VI族化合物半導体1の表面に電極2を設ける半導体放射線検出器4の製造方法において、前記電極2を形成する前記表面をエッチングにより浄化した後、熱処理し、その後に前記電極2を形成するものである。
請求項（抜粋）：
II-VI族化合物半導体の表面に電極を設ける半導体放射線検出器の製造方法において、前記電極を形成する前記表面をエッチングにより浄化した後、熱処理し、その後に前記電極を形成することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
