特許
J-GLOBAL ID：200903011626651469
薄膜トランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-108031
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166837
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】ION/IOFF 比の大きな特性をもつ薄膜トランジスタを提供する。【構成】タンタルより構成されるゲート電極105を形成し、ゲート電極105をマスクとし、ゲート絶縁膜107を通して半導体層103、104へリンイオン打込み、自己整合的にソース領域、ドレイン領域を構成した後、ゲート電極105を陽極酸化法により150〜250Vの電圧で陽極酸化し、100〜200μmのオフセット量△Lを設ける。【効果】陽極酸化法により、大面積にわたり正確にオフセット量△Lを制御でき、ION/IOFF 比の大きな薄膜トランジスタを実現できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極で構成された薄膜トランジスタにおいて、該ゲート電極の表面が絶縁物で覆われ、ドナーあるいはアクセプタとなる不純物を添加した半導体層と該ゲート電極が、該絶縁物の厚さと等しいかあるいは小さい距離を隔てて構成された事を特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/12
