窒化物系半導体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-030835
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214251
出願日： 2006年02月08日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】不純物が膜中にとりこまれることを防止し、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、MOCVD装置内に、サファイア基板101を配置する工程と、室温で、MOCVD装置内にNH3ガスを導入する工程と、サファイア基板101上に、NH3ガスを反応させることにより、AlNからなるバッファ層102を形成する工程と、バッファ層102上に、少なくとも1層以上の窒化物系半導体層103、104、105、106を形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板処理装置内に、サファイア基板を配置する工程と、室温で、前記基板処理装置内にNH3ガスを導入する工程と、前記サファイア基板上に、前記NH3ガスを反応させることにより、AlNからなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に、少なくとも1層以上の窒化物系半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物系半導体素子の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , C30B 29/38 , C23C 16/34 , H01L 21/20

FI (7件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01L29/80 H , C30B29/38 D , C23C16/34 , H01L21/20

Fターム (65件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA06 , 4G077TC13 , 4G077TC14 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030KA23 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA83 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD04 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045EB15 , 5F102FA00 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152MM10 , 5F152NN23 , 5F152NN27 , 5F152NP09 , 5F152NQ09 , 5F173AG11 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP06 , 5F173AR83

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板吸着水分の除去方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-261849 出願人：日本酸素株式会社

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