特許
J-GLOBAL ID:200903011649863749
半導体素子の検査方法並びに半導体素子の検査プログラムおよびその半導体素子の検査プログラムが記録された記録媒体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-120966
公開番号(公開出願番号):特開2002-310627
出願日: 2001年04月19日
公開日(公表日): 2002年10月23日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子の良否の判定にかかる時間を短縮できる半導体素子の検査方法並びに半導体素子の検査プログラムおよびその半導体素子の検査プログラムが記録された記録媒体を提供する。【解決手段】 カメラ2に半導体素子を撮像して、カメラ2の撮像により得られた画像から、半導体素子1の輪郭を抽出する。そして、半導体素子1の輪郭に外接する矩形領域10を求める。引き続き、矩形領域10内の一部であるBadマーク検出エリア,隅部を走査して、Badマーク検出エリア,隅部の画素の2値データに基いて、半導体素子1の良否を判定する。
請求項(抜粋):
撮像装置に半導体素子を撮像させる工程と、上記撮像装置の撮像により得られた画像から、上記半導体素子の輪郭を抽出する工程と、上記半導体素子の輪郭に外接する矩形領域を求める工程と、上記矩形領域内の一部または全部である走査領域を走査して、上記走査領域の画素の2値データに基いて、上記半導体素子の良否を判定する工程とを備えたことを特徴とする半導体素子の検査方法。
IPC (4件):
G01B 11/24
, G01B 11/28
, G01N 21/956
, H01L 21/52
FI (4件):
G01B 11/28 Z
, G01N 21/956 A
, H01L 21/52 F
, G01B 11/24 K
Fターム (27件):
2F065AA03
, 2F065AA12
, 2F065AA14
, 2F065AA54
, 2F065BB02
, 2F065CC20
, 2F065DD06
, 2F065DD07
, 2F065FF04
, 2F065JJ03
, 2F065JJ19
, 2F065QQ04
, 2F065QQ24
, 2F065QQ31
, 2F065QQ38
, 2F065RR02
, 2F065RR07
, 2F065SS04
, 2G051AA61
, 2G051AB03
, 2G051CA04
, 2G051DA15
, 2G051EA11
, 2G051EA14
, 2G051ED22
, 2G051ED23
, 5F047FA74
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
チツプ検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-282749
出願人:株式会社東芝
-
特開平2-085707
審査官引用 (3件)
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チツプ検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-282749
出願人:株式会社東芝
-
特開平2-085707
-
特開平2-085707
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