特許
J-GLOBAL ID：200903011651634986
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163228
公開番号（公開出願番号）：特開平10-011988
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 読み出し動作において、電力消費が小さく、且つ十分な読み出しマージンを確保することが可能な、不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 浮遊ゲートFGに記録されているデータを読み出す際、制御ゲートCGに電圧を印加し始めてから、メモリセル101が実際にセル電流を流し始めるまでに要する時間を計数し、この計数値の大小によって記録データ値を判別する。例えば、この記録された時間が、50ns未満を「0」、50ns以上100ns未満を「1」、100ns以上150ns未満を「2」、150ns以上200ns未満を「3」とすれば、計数された時間の大小によって記録データを判別することができる。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートFGと制御ゲートCGとソースSとドレインDとチャネルCHとから成るメモリセルを有する不揮発性半導体メモリにおいて、浮遊ゲートFGに記録されているデータを読み出す際、制御ゲートCGに電圧を印加し始めてから、前記メモリセルが、実際にセル電流を流し始めるまでに要する時間を計数し、この計数値の大小によって記録データ値を判別することを特徴とした不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 520 A
, G11C 17/00 308
