特許

J-GLOBAL ID：200903011660675377

プラズマエッチング装置

発明者： 佐藤 政明 ,  有田 睦信 ,  佐久間 春信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国際電気株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064989
公開番号（公開出願番号）：特開平5-271968
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：

【要約】【目的】 カソード電極上で大きな磁束密度を得るようにしたプラズマエッチング装置を提供する。【構成】 高周波電源9から被エッチング物5を載置したカソード電極4に高周波電力を供給し、カソード電極4とアノード電極8との間での放電によりプラズマを発生させ、かつそのイオンをカソード電極4に向けて加速させて被エッチング物5に射突させる。電源20〜23とコイル16〜19によりカソード電極4の近傍を磁力線が通るように磁場を発生させ、かつコイル16〜19のうち、カソード電極4に対向する面以外の面の少なくとも一部分を強磁性体24,25で覆ってコイル間や同一コイルの対向側を磁気シールドして磁場が打ち消し合うのを防いで、カソード電極4上での磁束密度を増大させる。

請求項（抜粋）：

被エッチング物を載置したカソード電極と、該カソード電極に対向して設けられ、かつ接地されたアノード電極と、ガス放電によるプラズマを発生させ、前記カソード電極の側にイオンを加速させるために前記カソード電極に接続した高周波電源と、磁力線が前記カソード電極の近傍を通るような磁場を印加する磁場印加手段とを具備したプラズマエッチング装置において、前記磁場印加手段の周囲の少なくとも一部分を強磁性体で覆って構成したことを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-224239
  
• 特開平3-107481
  
• 特開昭62-218586
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-031791   出願人：株式会社日立製作所