特許

J-GLOBAL ID：200903011694641315

プラズマCVD法による薄膜形成方法

発明者： 磯村 雅夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040316
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246317
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 水素ガスで希釈された原料ガスを反応室内に導入しグロー放電プラズマによって分解して薄膜を形成するプラズマCVD法による薄膜形成において、薄膜形成初期における低品質膜の堆積を防止する。【解決手段】 最初に水素ガスのみを反応室内に導入してグロー放電プラズマを発生させ、次に原料ガスをその流量が徐々に増加するように水素ガスとともに反応室内に導入してグロー放電プラズマにより分解して薄膜を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

水素ガスで希釈された原料ガスを反応室内に導入しグロー放電プラズマによって分解して薄膜を形成するプラズマCVD法による薄膜形成方法において、最初に水素ガスのみを反応室内に導入してグロー放電プラズマを発生させ、次に原料ガスをその流量が徐々に増加するように水素ガスとともに反応室内に導入してグロー放電プラズマにより分解して薄膜を形成することを特徴とするプラズマCVD法による薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 31/04 V

Fターム (46件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA09 ,  4K030JA20 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB30 ,  5F045AC01 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045BB16 ,  5F045EE17 ,  5F045EE18 ,  5F045EH19 ,  5F045GB08 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA16 ,  5F051CA35 ,  5F051CA37 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-289968
  
• 薄膜形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-325554   出願人：株式会社東芝