特許
J-GLOBAL ID：200903032468242103
薄膜形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325554
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235506
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 高真空操作を必要としない薄膜形成法を提供する。【構成】 ガス導入口を有する真空容器内に被処理基体を配置し、ガス導入口から真空容器内に反応ガスを導入しつつ該反応ガスに高周波電力を印加することによりプラズマを発生させて被処理基板上に反応ガスの反応生成物からなる薄膜を形成させる方法において、反応ガスの導入に先だって、それ単独ではプラズマ状態で実質的に薄膜形成能を有しない前記反応ガスを構成する成分ガス、または複数の反応ガスを用いる場合の反応ガスであってそれ自体では実質的に薄膜形成能を有しないガスからなる放電用ガスを導入しつつ該放電用ガスに高周波電力を印加してプラズマを発生させて前処理を行い、しかる後、実質的にプラズマ状態を維持したまま放電用ガスに代え反応ガスを導入して被処理基板上に薄膜を形成させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ガス導入口を有する真空容器内に被処理基体を配置し、前記ガス導入口から前記真空容器内に1種または2種以上の反応ガスを導入しつつ該反応ガスに高周波電力を印加することによりプラズマを発生させて前記被処理基板上に前記反応ガスの反応生成物からなる薄膜を形成させる方法において、前記反応ガスの導入に先だって、それ自体では実質的に薄膜形成能を有しない前記反応ガスを構成する成分ガス、または前記2種以上の反応ガスに包含される1種以上のガスであってそれ自体では実質的に薄膜形成能を有しないガスからなる放電用ガスを導入しつつ該放電用ガスに高周波電力を印加してプラズマを発生させて前処理を行い、しかる後実質的にプラズマ状態を維持したまま前記放電用ガスに代え前記反応ガスを導入して前記被処理基板上に薄膜を形成させることを特徴とする薄膜形成法。
IPC (2件)：
引用特許：
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