特許
J-GLOBAL ID：200903011725896171
半導体の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093698
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283521
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 堆積速度が良好なTEOS-O3 膜の成膜方法を提供する。【構成】 本発明によれば、処理室内を20Torr未満、好ましくは10Torr以下、さらに好ましくは6Torr以下の圧力雰囲気に調整し、その処理室内にTEOS含有ガスとO3 含有ガスとを流入し、上記処理室内に載置され500°C未満の成膜温度に維持された被処理体表面にTEOS-O3 膜を成膜する。このように低い圧力雰囲気で処理を行うので、処理ガスが被処理体からの輻射熱の影響を受け難く、気相中で消費されずに被処理体に到達する。その結果、高い堆積速度を得ることができる。
請求項（抜粋）：
20Torr未満の真空雰囲気に、排気ポンプにより真空排気された処理室内に、有機シリコンソースを含有する第1のガスとその有機シリコンソースと反応する成分を含有する第2のガスとを流入し、上記処理室内に載置され500°C未満の温度に維持された被処理体表面に成膜することを特徴とする、半導体の成膜方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/205
