レーザアニール装置およびレーザアニール方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-091195
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284433
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】基板上に形成されたアモルファスシリコン膜等の膜厚が基板毎にばらついても、基板間において特性のばらつきがないレーザアニール膜が得られるレーザアニール装置及び方法を提供する。【解決手段】レーザ光源10と、光学系20と、顕微ラマン分光分析器32と、この顕微ラマン分光分析器32からの信号が入力され、その信号に応じて、レーザ光源10の発振器15または光学系20のビーム径を制御して試料50に照射されるレーザ光11のエネルギを制御する制御手段40と、を備え、試料毎に結晶化状態を測定して、試料毎にレーザ光11の照射エネルギを制御する。

請求項（抜粋）：

レーザ光源(10)と、前記レーザ光源からのレーザ光を被アニール膜に導く光学系(20)と、前記被アニール膜の結晶化状態を測定する測定手段(30)と、前記被アニール膜に照射されるレーザ光の照射エネルギを制御する制御手段(40)と、を備えることを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 21/268 G , H01L 21/268 T , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-296015
特開平3-097219
光処理装置および光処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153850 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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