特許

J-GLOBAL ID：200903047841323302

光処理装置および光処理方法

発明者： 山口 直明 ,  田中 幸一郎 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051078
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 レーザー光を用いた半導体のアニール条件を適時調整する手段を提供する。【構成】 半導体薄膜に対するレーザー光の照射によるアニール工程において、レーザー光の照射後の半導体薄膜の屈折率を計測し、その値に基づいて次のレーザー光の照射条件を調整する。例えば、常に同じ屈折率を有する半導体薄膜となるように、レーザー光の照射条件を調整することにより、レーザー光の照射条件が不可避に変化してしまっても、レーザー光を照射する毎に常に同じ条件でアニールを行うことができる。

請求項（抜粋）：

薄膜にレーザー光または強光を照射する工程と、前記レーザー光または強光が照射された薄膜の屈折率を計測する工程と、前記屈折率を基に前記レーザー光または強光の照射エネルギーを制御して前記薄膜または別の薄膜に対してレーザー光または強光を照射する工程と、を有することを特徴とする光処理方法。

IPC (8件)：

H01L 21/20 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 結晶体膜の作製方法及び作製装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347455   出願人：シャープ株式会社