特許
J-GLOBAL ID：200903047841323302
光処理装置および光処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051078
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 レーザー光を用いた半導体のアニール条件を適時調整する手段を提供する。【構成】 半導体薄膜に対するレーザー光の照射によるアニール工程において、レーザー光の照射後の半導体薄膜の屈折率を計測し、その値に基づいて次のレーザー光の照射条件を調整する。例えば、常に同じ屈折率を有する半導体薄膜となるように、レーザー光の照射条件を調整することにより、レーザー光の照射条件が不可避に変化してしまっても、レーザー光を照射する毎に常に同じ条件でアニールを行うことができる。
請求項（抜粋）：
薄膜にレーザー光または強光を照射する工程と、前記レーザー光または強光が照射された薄膜の屈折率を計測する工程と、前記屈折率を基に前記レーザー光または強光の照射エネルギーを制御して前記薄膜または別の薄膜に対してレーザー光または強光を照射する工程と、を有することを特徴とする光処理方法。
IPC (8件)：
H01L 21/20
, B23K 26/00
, H01L 21/268
, H01L 21/324
, H01L 21/66
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
