半導体装置の電極配線構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243285
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097281
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 ICにおいて、電源GNDのアルミ配線層に電流が流れることにより起きる電圧降下を低減する。【構成】電源,GND配線用に専用のアルミ配線層101と102の2層を設ける。これらの配線層はチップのほぼ全面を覆うように配線し、配線抵抗を下げ、電圧降下による影響を低減する。

請求項（抜粋）：

信号配線層と、電極配線層とを有する半導体装置の電極配線構造であって、信号配線層は、半導体装置の構成素子間を配線するものであり、電極配線層は、信号配線層上に相互に絶縁されて2層構造として設けられ、2層構造の配線層が接地電極と電源電極に接続されたものであることを特徴とする半導体装置の電極配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 21/90 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (7件)

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