特許

J-GLOBAL ID：200903011773128763

光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法

発明者： 今井 彰 ,  佐藤 克洋 ,  小野 好之
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143924
公開番号（公開出願番号）：特開平10-334954
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 太陽光を効率的に利用可能でかつ光電変換効率、安定性、耐久性等に優れ、安価にかつ容易に製造し得る光半導体電極を提供すること。【解決手段】 金属酸化物半導体の基材表面に、少なくとも下記一般式(I)で表されるペリレン誘導体を吸着させた層を有することを特徴とする光半導体電極である。一般式(I)【化1】一般式(I)中、Rは、置換されていてもよい2価の炭化水素基又は複素環基を表す。

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体の基材表面に、少なくとも下記一般式(I)で表されるペリレン誘導体を吸着させた層を有することを特徴とする光半導体電極。一般式(I)【化1】一般式(I)中、Rは、置換されていてもよい2価の炭化水素基又は複素環基を表す。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-338371   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開昭55-124964