特許
J-GLOBAL ID:200903011782124177

トンネル型ジョセフソン接合素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高山 敏夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-239188
公開番号(公開出願番号):特開平9-064429
出願日: 1995年08月23日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【目的】 再現性の良いトンネル型の特性を示すイントリンシックジョセフソン接合素子を提供すること。【構成】 層状構造を有する超伝導体が、前記層状構造の平面と平行な上下の平面で同一種類のもしくは他の超伝導体または電極に結合され、かつ前記超伝導体結合部分の面積が0.01μm2 以上0.01mm2 以下で前記超伝導体結合部分に含まれる層数が1以上100を越えないことを特徴とするトンネル型ジョセフソン接合素子。
請求項(抜粋):
層状構造を有する超伝導体が、前記層状構造の平面と平行な上下の平面で同一種類のもしくは他の超伝導体または電極に結合され、かつ前記超伝導体結合部分の面積が0.01μm2 以上0.01mm2 以下で前記超伝導体結合部分に含まれる層数が1以上100を越えないことを特徴とするトンネル型ジョセフソン接合素子。
IPC (2件):
H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA
FI (2件):
H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/24 ZAA J
引用特許:
審査官引用 (1件)

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