特許
J-GLOBAL ID：200903093440571194
トンネル型ジョセフソン接合素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222791
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058366
出願日： 1993年08月16日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高温超伝導体の接合素子において、ジョセフソン電流とトンネル型電流-電圧特性を実現することが可能となったトンネル型ジョセフソン接合素子とその製造方法を提供すること。【構成】 層状構造を有する2つの超伝導体1,4が層絶縁膜3を介して層状構造の平面と平行な平面で相互に結合され、この結合面積が0.01mm2 以下の面積であるトンネル型ジョセフソン素子。
請求項（抜粋）：
層状構造を有する二つの超伝導体が、前記層状構造の平面と平行な平面で相互に結合され、かつ前記結合の面積が0.01mm2 以下の面積であることを特徴とするトンネル型ジョセフソン接合素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
